FAQ

  • TMEIC臭氧產生機在現場常遇見的問題及其簡易排除方法

    1.臭氧生成濃度降低

    原因：

    • 氧氣純度或流量不穩定：輸入的氣體流量過高或過低，或氧氣供應源純度下降（含有微量水分/雜質），會影響DBD(Dielectric Barrier Discharge)對於氧氣的解離效率。
    • 電極表面沉積物：長期高功率運作下，電極表面可能因微量雜質形成沉積，導致放電不均勻，溫度累積等負面效應，進而導致臭氧濃度降低。
    • 系統溫度過熱。

    簡易排除

    • 檢查氣源端：確認廠務端供應的氧氣流量計數值是否符合 TMEIC 設定之標準範圍，並檢查前端乾燥過濾系統。
    • 確認冷卻水參數：檢查機台儀表上進出水壓力差與流量。若流量過低，調大廠務端二次配管的閥門。
    • 檢查水溫：確認進水溫度是否維持在標準（通常為 15–20°C）。若溫度過高，需確認廠務端冰水機運作是否異常。
    • 洽詢明遠專業團隊，協尋服務。

     

    2.臭氧微量洩漏警報

    原因：

    • 臭氧具強氧化性，長期接觸會使氣路接頭（如 VCR Gasket）、鐵氟龍管線老化、硬化或產生微小裂縫。

    簡易排除：

    • 安全第一：高濃度臭氧對人體呼吸道有劇毒。一旦警報響起，必須依 SOP 穿戴防護裝備，或確保系統已自動切換為氮氣吹掃並完全破真空。
    • 洽詢明遠專業團隊，協尋服務。

     

    1.臭氧生成濃度降低

    原因：

    • 氧氣純度或流量不穩定：輸入的氣體流量過高或過低，或氧氣供應源純度下降（含有微量水分/雜質），會影響DBD(Dielectric Barrier Discharge)對於氧氣的解離效率。
    • 電極表面沉積物：長期高功率運作下，電極表面可能因微量雜質形成沉積，導致放電不均勻，溫度累積等負面效應，進而導致臭氧濃度降低。
    • 系統溫度過熱。

    簡易排除

    • 檢查氣源端：確認廠務端供應的氧氣流量計數值是否符合 TMEIC 設定之標準範圍，並檢查前端乾燥過濾系統。
    • 確認冷卻水參數：檢查機台儀表上進出水壓力差與流量。若流量過低，調大廠務端二次配管的閥門。
    • 檢查水溫：確認進水溫度是否維持在標準（通常為 15–20°C）。若溫度過高，需確認廠務端冰水機運作是否異常。
    • 洽詢明遠專業團隊，協尋服務。

     

    2.臭氧微量洩漏警報

    原因：

    • 臭氧具強氧化性，長期接觸會使氣路接頭（如 VCR Gasket）、鐵氟龍管線老化、硬化或產生微小裂縫。

    簡易排除：

    • 安全第一：高濃度臭氧對人體呼吸道有劇毒。一旦警報響起，必須依 SOP 穿戴防護裝備，或確保系統已自動切換為氮氣吹掃並完全破真空。
    • 洽詢明遠專業團隊，協尋服務。

     

  • TMEIC臭氧產生機主要特色是什麼

    主要具有以下兩大特點：

    1. 無氮氣添加方式

      大幅減少氮氧化物的產生（NOx，濃度0.01ppm以下，為傳統的1/10000），進而減少金屬污染， 避免半導體良率下降。

    2. 超高濃度

      最高可達 450 g/m³(N)， 有助於提升氧化膜品質並縮短成膜時間。

     

    主要具有以下兩大特點：

    1. 無氮氣添加方式

      大幅減少氮氧化物的產生（NOx，濃度0.01ppm以下，為傳統的1/10000），進而減少金屬污染， 避免半導體良率下降。

    2. 超高濃度

      最高可達 450 g/m³(N)， 有助於提升氧化膜品質並縮短成膜時間。

     

  • TMEIC臭氧產生機常使用於那些製程與機台?
    • 主要應用於半導體製造中的原子層沉積（ALD, Atomic Layer Deposition）與化學氣相沉積（CVD, Chemical Vapor Deposition）等先進薄膜沉積製程。
    • 其中，在 ALD 製程中，臭氧被當作高活性的氧化劑，用於生長高介電常數（High-k）絕緣層。TMEIC主要應用於TEL 的 NT333 批次式 ALD 機台與 Triase+ 單片式 ALD 機台，
    • CVD 製程中，臭氧主要用於二氧化矽等介電質的低溫沉積。主要應用於。 TMEIC主要應用於Applied Materials — Producer® 系列以及TEL 的Triase+™ CVD / CELSIUS™

     

    • 主要應用於半導體製造中的原子層沉積（ALD, Atomic Layer Deposition）與化學氣相沉積（CVD, Chemical Vapor Deposition）等先進薄膜沉積製程。
    • 其中，在 ALD 製程中，臭氧被當作高活性的氧化劑，用於生長高介電常數（High-k）絕緣層。TMEIC主要應用於TEL 的 NT333 批次式 ALD 機台與 Triase+ 單片式 ALD 機台，
    • CVD 製程中，臭氧主要用於二氧化矽等介電質的低溫沉積。主要應用於。 TMEIC主要應用於Applied Materials — Producer® 系列以及TEL 的Triase+™ CVD / CELSIUS™

     

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